新洁能 新洁能：国内功率半导体十强 细分领域做到唯一

功率半导体家族迎来了一个新的上市公司，那就是新街宁。在细分领域也是国内领先。今天就从基础开始学吧。

无锡新街宁是中国功率半导体芯片和器件设计的领导者。主要从事功率半导体芯片和器件的研发、设计和销售。公司深入半导体功率器件行业，是国内最早专业从事MOSFET和IGBT R&D设计的企业之一，拥有独立的芯片设计能力和独立的工艺流程设计平台。

新杰拥有完善的MOSFET产品矩阵，技术实力和销售规模在国内处于领先地位。公司基于世界先进的半导体功率器件理论和技术开发主导产品，是国内最早掌握超结理论和技术，批量生产屏蔽门功率MOSFET和超结功率MOSFET的企业之一；也是国内最早拥有四大产品平台的企业之一:沟槽功率MOSFET、超结功率MOSFET、屏蔽栅功率MOSFET和IGBT。目前，公司已发展成为中国8英寸先进工艺平台上芯片投放数量最多的半导体功率器件设计公司之一，是中国唯一一家基于8英寸先进工艺平台开发设计MOSFET和IGBT产品的领先功率半导体设计企业。从2016年到2019年，连续四年跻身中国半导体功率器件企业十强。

根据IHS数据，2016年、2017年和2018年，公司的MOSFET分别占国内市场的2.88%、2.83%和3.65%，市场份额逐渐增加，英飞凌、安塞尔米和瑞萨电源除外

除9个国外品牌外，它是国内领先的R&D场效应晶体管设计和销售的本土企业。

公司产品根据是否封装分为芯片和功率器件。公司主要负责设计、制造、包装，委托外部企业完成。该公司是中国8英寸先进技术平台芯片数量最多的电力设备设计公司之一。目前，公司已初步完成先进包装检测生产线建设，具备小批量包装能力。

公司产品齐全，下游应用广泛。目前主要产品有12V~200V沟槽功率MOSFET、30V~300V屏蔽栅功率MOSFET、500V~900V超结功率MOSFET和600V~1350V沟槽栅场截止IGBT。下游应用涵盖消费电子、汽车电子、工业电子和新能源汽车/充电桩、智能设备制造、物联网、光伏新能源等领域。

在新技术领域，公司拥有“高浪涌电流能力碳化硅二极管”、“高耐压碳化硅肖特基二极管”等多项相关专利，并积极推进“碳化硅肖特基二极管工艺技术”、“氮化镓功率HEMT工艺”等研发项目。

高管和研究团队:

核心管理和科研团队在R&D和功率半导体管理方面有多年的经验。他们中的许多人都曾在国内领先的半导体企业工作过，起点高，实力强，为公司成立以来的快速成长奠定了坚实的基础。

控股股东兼实际控制人朱先生直接持有公司23.34%的股份。朱先生也是公司技术创新的带头人。他在半导体行业有30多年的研究和工作经验，是我国MOSFET等半导体功率器件研究和产业化的见证者和开拓者。公司的R&D团队，以其为领军人物，是国内首批专注于8英寸晶圆工艺平台技术研发和先进半导体功率器件(如MOSFET、IGBT)产品设计的先驱者之一，在该领域拥有雄厚的技术实力和丰富的R&D经验。

截至2020年1月19日，公司拥有97项专利，其中发明专利35项，实用新型59项，外观设计3项。

客户情况:

凭借雄厚的产品技术、丰富的产品种类和卓越的产品质量，公司为下游细分行业提供了众多领先客户。电力设备行业上下游产业链粘性程度高，下游应用行业对产品质量和供应商选择要求严格。一旦选定的功率器件产品经过大规模测试、认证和使用，就不容易更换。随着品牌认知度的提高，有望在未来国内替代的大趋势下实现快速增长。

财务结果:

2019年，公司收入7.73亿元，同比增长7.9%。2020年H1营业收入达到3.84亿元，同比增长17.0%。2019年，由于中美贸易摩擦，功率半导体行业竞争加剧，8英寸晶圆代工厂成本上升，毛利率和净利润率下降，净利润9821万元，同比下降30.6%。2020年H1，公司利润率回升，实现净利润5534万元，同比增长47.8%，业绩回升。

公司电源设备和芯片的收入分别占76%和24%，电源设备在收入中的比重逐年上升。随着功率器件细分型号的不断丰富、品牌知名度的不断提高和财务实力的不断增强，公司积极提高MOSFET器件的销售比例，以赚取更多的利润。

行业趋势:

分立器件产业是半导体产业的重要分支，也是电力电子产品的基础之一。主要用于整流、稳压、开关、混频等。电力电子设备。它具有应用范围广、消耗量大的特点，广泛应用于消费电子、汽车电子、电子仪器仪表、工业与自动控制、计算机及外围设备、网络通信等诸多国民经济领域。

据IHSMarkit数据，2018年全球功率器件市场规模约为391亿美元，预计到2021年市场规模将增至441亿美元，CAGR为4.1%，其中MOSFET和IGBT有望成为未来五年最强的功率器件。

动力装置已经发展了好几代。2008年，英飞凌率先推出屏蔽栅功率MOSFET，进一步提高了半导体功率器件的性能。

在国内市场上，大部分分立器件如功率二极管、功率三极管和晶闸管已经国产化，而分立器件如MOSFET和IGBT由于技术和工艺先进，仍在很大程度上依赖进口，未来将有巨大的进口替代。

目前，国内功率半导体产业链日益完善，技术也在取得突破。同时，中国也是世界上最大的功率半导体消费国。2018年，市场需求达到138亿美元，增速9.5%，占全球需求的35%。预计未来中国功率半导体将继续高速增长，2021年市场规模预计达到159亿美元，年化增长率为4.8%。

从技术实现和战略需求来看，电力设备制造商有望加快实现国产化替代，行业前景将长期看好。

1.在战略需求方面，电力设备是关键的核心组件。根据“制造业2025”技术路线图，先进轨道交通设备、节能新能源汽车、动力设备、高档数控机床和机器人被列为十大突破发展重点领域。功率半导体在上述关键领域发挥关键作用，需要独立控制，具有突出的战略地位。

2.从技术角度来说，与IC相比，功率器件更倾向于成熟和标准化的产品，而不是依赖和追求先进的制造工艺，其产品竞争力主要取决于工艺和生产线的水平。随着国内半导体分立器件制造商逐步参与国际市场供应体系，下游产业大力创新带动上游分立器件产业，中国半导体分立器件产业取得长足进步，逐渐形成了国外产品的替代品。

总的来说，公司拥有完善的MOSFET产品矩阵和领先的技术实力，是国内为数不多的能够开发、设计和批量生产先进的屏蔽栅MOSFET和超结MOSFET的厂商之一。公司以研发为重点，利用募集资金项目开展“R&D超低能耗高可靠性半导体功率器件升级产业化”和第三代半导体功率器件项目建设，为公司产品的高端和长远发展奠定基础。公司成立之初，采用无晶圆厂模式运营，将有限的资源投入研发，实现了快速成长。现阶段，公司开始建设自己的封装测试生产线，加强了对功率半导体核心封装测试环节的控制，有利于与设计环节形成协同优化，为公司的长远发展提供保障。

来源:好股票

作者:秦亮

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